Транзисторы

Транзисторы

Вывод коллектора

Отделяющие базу переходы коллекторным (рис. 4-1). Каждый из переходов транзистора можно включить в прямом или обратном направлении. При указанных на рис. 4-2, а смещениях эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию тех носителей, которые прошли через базовую область к коллектор­ному переходу. (Экстракцией называется выведение носителей заряда из области полупроводника, где они являются неоснов­ными, через электронно-дырочный переход ускоряющим электри­ческим полем, создаваемым внешним источником напряжения).

Транзистором называется электропреобразователь­ный полупроводниковый прибор с электронно-дырочными пере­ходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов. Транзистор с двумя переходами и тремя выводами часто называют полупроводниковым триодом. Цепь одного из выводов транзис­тора является входной (управ­ляющей), а цепь другого — вы­ходной (управляемой). Такой транзистор представляет собой систему р-п-р или п-р-п, получен­ную в одном монокристалле по­лупроводника. Переходы р-п де­лят кристалл на три области, причем средняя область имеет тип электропроводности, противопо­ложный крайним областям. В тран­зисторе среднюю область называют базой, а крайние — эмит­тером и коллектором.

У реального транзистора с плоскостными перехо­дами площадь коллектора больше площади эмиттера. Такая конструкция позволяет коллектору собирать даже те неосновные носители заряда, которые передви-
гаются от эмиттера под некоторым переход переход углом к оси транзистора. Площадь

эмиттерного перехода определяет
активную часть базовой области.

В зависимости от механизма про­хождения носителей заряда в обла­сти базы (от эмиттера к коллектору) транзисторы разделяют на без -дрейфовые и дрейфовые. В бездрейфовых транзисторах пере­нос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляет­ся в основном посредством диффузии. Такие транзисторы обычно получают методом сплавления. В дрейфовых транзисторах в области базы путем специального распределения приме­сей создается внутреннее электриче­ское поле и перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном посредством дрейфа. Такие транзисторы обычно получают методом диффузии примесей.

Рабочими носителями заряда в транзисторе могут быть дырки или электроны. В соответствии с этим различают транзисторы p-n-p-типа и транзисторы n-p-n.