Таким образом, в транзисторе через эмиттерный переход протекает управляющий (входной) ток /э (цепь эмиттер — база), через коллекторный вывод протекают управляемый (выходной) ток а1э и обратный ток коллектора /к0 (цепь коллектор — база), а через вывод базы — разностный ток эмиттера и коллектора /б.
В реальных транзисторах токи /э и /к близки по величине. Сравнительно небольшие изменения смещения эмиттерного перехода U9 вызывают значительные изменения тока эмиттера, а следовательно, и коллектора. Так как выполняется неравенство | Ек ^> | Еа , то на включенном в цепь коллектора сопротивлении RK можно получить изменения напряжения Ur , значительно превышающие изменения 1/э, т. е. получить усиление по напряжению и мощности. Транзистор является прибором, в котором входной ток управляет выходным током, т. е. усилительным прибором с управлением по току.
Полупроводниковый материал базовой области и базовый контакт обладают некоторым объемным омическим сопротивлением гё для тока основных носителей, протекающего по цепи базы. Поэтому действительные напряжения, приложенные к эмиттерному и коллекторному переходам, отличаются от напряжений U3 и UK на величину :
(4-24)
Ток базы может иметь положительное (показанное на схеме) или отрицательное направление в зависимости от соотношения между рекомбинационным током и обратным током коллектора. В связи с этим напряжение на самом эмиттерном переходе может быть больше или меньше внешнего напряжения, приложенного к входным зажимам транзистора. Так как протекающий через сопротивление Гб ток базы представляет собой разностный ток цепей эмиттера и коллектора, то объемное сопротивление базы связывает по току эти цепи. Для снижения потерь во входной цепи и уменьшения паразитной внутренней обратной связи между выходной и входной цепями желательно уменьшать величину Гб. Наоборот, для повышения входного сопротивления величину желательно увеличивать.
Модуляция толщины базы. Толщина ^-«-перехода зависит от величины приложенного к нему напряжения (2-14). Так как к эмиттерному переходу приложено прямое напряжение, то толщина этого перехода мала и ее изменения при изменениях Ј/э. п также малы. К коллекторному переходу приложено обратное
напряжение Е/к. п» и толщина перехода сравнительно велика. В связи с тем, что коллекторный переход практически сосредоточен в области базы, изменения толщины коллекторного перехода при изменениях напряжения на коллекторе приводят к изменению толщины базы. С ростом величины UK. п коллекторный переход расширяется, а толщина базы становится меньше, и наоборот. Изменение толщины базы транзистора в результате изменения толщины слоев пространственного заряда электрических переходов при изменении напряжения на них называется модуляцией толщины базы.