В момент времени t = tx ток базы изменится на величину /;, и будет равен. Так как ток эмиттера поддерживается постоянным, то останется постоянным и ток компенсирующих электронов. Ток в цепи коллектор — база будет равен величине /ко.
В момент времени t =-• t2 первыми вошедшие из эмиттера в базу дырки и компенсирующие их электроны подойдут к коллекторному переходу. Поле перехода втягивает дырки в коллектор, но препятствует переходу электронов. Оставшиеся в базе неравновесные электроны будут уходить через вывод базы во внешнюю цепь. Ток коллектора изменяется на величину als и становится равным IK = а/э + /ко. Ha эту же величину, но взятую с обратным
знаком, изменяется ток базы*. В базе устанавливается ток, равный разности токов в цепях эмиттер — база и коллектор — база Iq = 1Э — а/э — /ко. Разность /а — а/а составляет рекомбинационный ток базы, протекающий через базовый вывод в установившемся состоянии.
Если в некоторый момент времени / = t3 разомкнуть цепь эмиттера, то приток дырок в базу прекращается (1Э = 0). Ток базы уменьшается на величину тока эмиттера и становится равным /д = — а/3 — /ко. В области базы остаются неравновесные носители — дырки, инжектированные до момента времени t = (Зине успевшие еще дойти до коллекторного перехода. Ток коллектора не изменяется. Такое состояние сохраняется до тех пор, пока последние дырки не перейдут коллекторный переход (момент времени tt). В этот момент ток коллектора снова становится равным первоначальной величине /ко, уменьшаясь на величину а/э. К первоначальному значению возвращается и ток базы.
Нами рассмотрен идеализированный случай. В действительности процесс диффузии — явление статистическое. Одновременно инжектированные в базу дырки подходят к коллекторному переходу в различные моменты времени. Происходит «размывание» фронта концентрации дырок по мере их перемещения вдоль базы, причем это «размывание» будет тем больше, чем шире область базы. Графики реальных процессов токораспределения в транзисторе приведены пунктиром где tD = t2 — tt — среднее время диффузии. Для импульса коллекторного тока характерно как запаздывание фронта (гзап — время запаздывания), так и его конечная длительность, а для импульса тока базы — начальный «всплеск» с последующим спадом. Для уменьшения длительности переходных процессов необходимо изготавливать транзисторы с базой малой толщины.