Коэффициенты инжекции и переноса транзистора трудно измерить. Они рассчитываются теоретически. На практике пользуются коэффициентом передачи тока эмиттера а (его часто называют коэффициентом усиления по току в схеме с общей базой), который равен отношению приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменном напряжении на коллекторном переходе:
uv = const
(4-13)
Коэффициент передачи тока реального транзистора легко определяется с помощью несложных устройств. (На практике а измеряется в режиме короткого замыкания выходной цепи транзистора по переменному току). Коэффициент передачи тока эмиттера является одним из основных параметров транзистора. Через расчетные параметры транзистора у и р коэффициент а определяется соотношением
a = vp (4-14)
Так как и у и Р меньше единицы, то и коэффициент передачи тока эмиттера а также не превышает единицы.
В поле пространственного заряда коллекторного перехода может возникнуть «размножение» носителей в результате ударной ионизации, которое можно учесть коэффициентом умножен и я If в р-ге-переходе. Величина М зависит от концентрации носителей, напряженности электрического поля и характера его распределения где С/к. п — напряжение на коллекторном переходе; С/цроб — напряжение пробоя коллекторного перехода; п та 3.
За время переноса через переход часть дырок рекомбинирует в области перехода (особенно в широких коллекторных переходах). В общем случае величина коэффициента а равна:
где рп — коэффициент, учитывающий рекомбинацию дырок в переходе.
Специальные лавинные транзисторы, работающие в режиме лавинного умножения тока в коллекторном переходе и имеющие коэффициент передачи тока эмиттера больше единицы, не получили широкого распространения.
У современных транзисторов а = 0,95 -г- 0,99. Режим работы транзистора выбирают, исходя из условий надежности и стабильности (при С/к. п <^ Ј/проб и Mj=^A). Обычно у — 1. Тогда а определяется упрощенной формулой
Токи транзистора легко определить, пользуясь его идеализированной моделью (рис. 4-2, е). В ней эмиттерный и коллекторный переходы транзистора представлены соответствующими диодами Д1 и Д2 с токами It и /2, а эффект передачи тока одного перехода в цепь другого показан эквивалентными генераторами тока а1г и <XiI2. При показанных на рис. 4-2, а смещениях общие токи эмиттера /э и коллектора 1К определяются соотношениями: