Аналогично для электронной составляющей диффузионного тока через эмиттерный переход можно записать
Общий ток через эмиттерный переход в прямом направлении (ток эмиттера) равен сумме электронной и дырочной составляющих
Чем больше дырок по сравнению с электронами переходит через эмиттерный переход, тем больше их переносится через коллекторный переход в область коллектора. Эффективность «миттера оценивается коэффициентом инжекцину, который равен отношению дырочной составляющей к общему току эмиттера:
Эффективность эмиттера на постоянном токе определяется приближенным соотношением
В резком переходе величина аэ на 2—3 порядка больше Og и эффективность эмиттера очень мало отличается от единицы (у « 0,999). С ростом уровня инжекции эффективность эмиттера падает за счет ослабления неравенства оэ ^> Об.
Полагая в соотношении (4-3) х = w, находим составляющую дырочного тока через коллекторный переход, обусловленную дырочной составляющей тока эмиттера.
При w <^ LPn стационарное распределение дырок в базе близко к линейному (рис. 4-2, д). В действительности градиент концентрации дырок у эмиттерного перехода несколько больше градиента концентрации у коллекторного перехода.
Проходя через базу, часть дырок рекомбинирует с электронами как в объеме, так и на прилегающей к эмиттерному переходу поверхности транзистора и рассеивается на неоднородностях кристаллической решетки. Поэтому не все инжектированные в базу дырки доходят до коллекторного перехода, а приращение тока коллектора А1кр будет несколько меньше приращения тока эмиттера А/Эр. Влияние рекомбинации в базе на величину тока через коллекторный переход учитывается коэффициентом переноса дырок' р, который показывает, какая часть инжектированных эмиттером дырок достигает коллекторного перехода:
Разлагая правую часть равенства (4-10) в степенной ряд и при w <^ Lpn ограничиваясь только двумя членами разложения.
Коэффициент переноса р тем ближе к единице, чем меньше толщина базы по сравнению с диффузионной длиной дырок. Поэтому толщину базы реального транзистора делают по возможности меньше. С учетом рекомбинационных процессов на поверхности кристалла коэффициент переноса определяется соотношением [Л. 2]
где s — скорость поверхностной рекомбинации; Ss — поверхность рекомбинации.