Транзисторы

Для определения параметра из точки А' проводится прямая, параллельная оси аб­сцисс, такой длины, чтобы можно было определить достаточное для измерений приращение тока АГК = В'С. По точкам А 'В' находится приращение напряжения коллектора ДЈ/'кэ.

Аналогично для схемы с ОБ по выходным характеристикам можно определить параметры

Точность определения параметров графо-аналитическим спо­собом невысока.

В соответствии с уравнениями, связывающими напряжения и токи на входе и на выходе транзистора как четырехполюсника, можно составить эквивалентные схемы с соответствующими гене­раторами напряжения или тока. Эти схемы не раскрывают внут­реннее содержание четырехполюсника, а только отражают его реакцию на .токи и напряжения на внешних зажимах. Принимая в уравнениях (4-100) величины 2"12/2 и Z21/x за напряжения гене­раторов соответственно во входной и выходной цепях четырех­полюсника, получаем эквивалентную схему транзистора с двумя генераторами напряжений для системы Z-параметров (рис. 4-21,а). Аналогично в соответствии с уравнениями (4-101) и (4-102) можно получить эквивалентные схемы с двумя генераторами тока для системы У-параметров (рис. 4-21, б) и эквивалентную схему с ге нератором напряжения и тока для системы ^-параметров (рис. 4-21, в). Преобразуя уравнение (4-101), получаем П-образную экви­валентную схему транзистора (рис. 4-21, г). При анализе электрон­ных схем с транзистором, включенным с ОЭ, к входным зажимам эквивалентной схемы целесообразно подключить сопротивление гЈ. Такая гибридная П-образная эквивалентная схема транзи­стора с ОЭ показана на рис. 4-21, д. В этой схеме ток эквивалент-

е)

Рис 4-21.

ного генератора выражен через напряжение Uq ти крутизну S характеристики: IK—f (#кэ) c/6 = const- Параметры этой экви­валентной схемы отличаются от проводимостей Ylt Y2, Y3 и У4 схемы на рис. 4-21,г. В гибридной П-образной схеме ток эквива­лентного генератора можно выразить через ток базы /б и коэф­фициент передачи тока базы В, а элементы схемы — через h-параметры транзистора, приводимые в справочнике. Такая гиб­ридная П-образная эквивалентная схема транзистора, включен­ного с ОЭ, приведена на рис. 4-21, е.