диэлектрика (стекло, керамика). Колпачок приваривается холодной сваркой к основанию. Пространство под колпачком может быть заполнено сухим воздухом, инертным газом либо в нем создается вакуум. Иногда здесь помещается влагопоглотитель или газопоглотитель — геттер. Для защиты от влаги корпус транзистора покрывается антикоррозионным покрытием. Иногда корпус транзистора целиком выполняется из диэлектрика.
У маломощных низкочастотных транзисторов (рис. 4-28, а) слой базы обычно монтируется на стальном или медном основании корпуса и вывод базы имеет с корпусом электрический контакт. Отвод тепла от коллекторного перехода осуществляется через тонкую пластинку базы. При этом тепловое сопротивление между переходом и корпусом довольно велико.
 |
Стальной
колпачок Кристалл
-Стальное основание
Стеклянные изоляторы
У высокочастотных маломощных транзисторов, изготовленных диффузионным методом, к основанию обычно крепится коллектор (рис. 4-28, б). Иногда у высокочастотных транзисторов основание делается из диэлектрика с целью уменьшения емкостей между выводами транзистора.
У мощных транзисторов (рис. 4-28, в), требующих хорошего теплоотвода от коллектора, основание корпуса может быть изготовлено из красной меди. В другом варианте на стальном основании имеется медный вкладыш, к которому крепится область коллектора. Вывод коллектора электрически соединяется с корпусом. Мощные транзисторы обычно изготавливаются методами планарной технологии. Они характеризуются большими площадями переходов, малыми сопротивлениями гэ и гк и относительно большими величинами емкости Ск и обратного тока коллектора. Для уменьшения неоднородности тока по толщине базы используется кольцевая геометрия вывода эмиттера, а вывод базы имеет форму диска и кольца. В ряде конструкций выводы транзистора выполняются в виде гребенки. Иногда для повышения рассеиваемой мощности на одном кристалле выполняются две транзисторные структуры, соединенные параллельно.