Для практического использования транзисторы удобно классифицировать по предельно допустимой рассеиваемой мощности и диапазону рабочих частот вне зависимости от технологии изготовления и механизмов переноса носителей заряда. Обычно выделяют транзисторы малой мощности (Рк ^ 0,3 вт), средней (0,3 < Рк гс; 5 вт) и большой мощности (Рк > 5 вт). Соответственно транзисторы каждой группы подразделяются на низкочастотные (fa sg; 3 Мгц), среднечастотные (3 < /а =^ 30 Мгц) и высокочастотные (/а > 30 Мгц или /маКс ^ 120 Мгц). Транзисторы малой и средней мощности, имеющие /макс > 120 Мгц, относятся к сверхвысокочастотным транзисторам.
По классификационным параметрам транзисторы разделяются на подгруппы. Для маломощных низкочастотных и среднечастот-ных транзисторов в качестве классификационных параметров часто выбирают величины а или В, fa или /макс и др., для маломощных высокочастотных В или В на частоте 10—20 Мгц, для мощных низкочастотных Ukq. макс, В и др.
Транзисторы изготавливают на основе германия, кремния и арсенида галлия. Наибольшее применение имеют германий и кремний. Технологические методы изготовления позволяют в той или иной степени совместить требования на предельные значения основных параметров. В настоящее время созданы маломощные транзисторы (Р„ та 0,1 вт) с граничной частотой /а 5 Ггц, средней мощности (Рк та 1 вт) с fa та 1 Ггц и мощные (Рк та та 1000 вт) с fa та 20 Мгц.
Сплавным методом обычно изготовляют маломощные германиевые транзисторы с /а до 0,1—10 Мгц и значениями напряжений и токов UK3 sg; 100 в, IK ^ 1 а, 1К0 та 10 -ь 100 мка, а также мощные транзисторы с /а = 100 -г- 500 кгг^, С/Кэ ^ 60 в, /к =s; 30 а, 7к0 л; 1 -н 10 даа. Высокочастотные маломощные германиевые транзисторы обычно изготовляются диффузионно-сплавным методом, который позволяет получить /а = = 100-4- 500 Мгц, UK3 = 10 + 20 в, 1К < 50 ~- 100 ма, 1К0 та та 5 ч- 10 мка. При помощи планарной технологии получают маломощные высокочастотные транзисторы с /а до 500 Мгц и мощностью рассеяния до 1 вт, а также мощные транзисторы с рабочими частотами в несколько десятков мегагерц, рабочими напряжениями в несколько сотен вольт, токами в несколько десятков ампер и рассеиваемой мощностью в несколько сотен ватт.
Основной элемент транзистора — кристалл с р-гс-переходами— помещается в корпус, состоящий из основания и колпачка. Корпус обеспечивает механическую прочность транзистора, изолирует кристалл от воздействия внешней среды и обеспечивает необходимый теплоотвод. Основание корпуса обычно делается из металла со стеклянными изоляторами для выводов электродов или из