Наибольший ток коллектора 1К_ макс ограничивается максимальной температурой перехода (т. е. РШКс), и его можно определить из соотношения РМакс == I*.. макс^к- Превышение предельного значения тока приводит к пробою перехода (вследствие выделения большого количества тепла), сгоранию внутренних соединительных проводов и выходу транзистора из строя.
Наибольшее напряжение между коллектором и общим электродом определяется величиной пробивного напряжения перехода и зависит от схемы включения транзистора. Кроме того, наибольшее напряжение между коллектором и общим электродом зависит от мощности, тока коллектора, внешнего сопротивления в цепи базы и температуры внешней среды.
Наибольшее напряжение коллектор-база UK§. макс используется при расчете режимов работы запертого транзистора или при включении его в схеме с общей базой. Оно может меняться от 6—10 в (германиевые микросплавные транзисторы) до 20—300 в (кремниевые диффузионные транзисторы).
Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер С/кэ. макс обычно приводится для режима короткого замыкания эмиттера с базой. В ряде случаев приводится значение С/Кэ. макс для режима работы, при котором между базой и эмиттером включено небольшое активное сопротивление. Наибольшее обратное напряжение эмиттер-база С/Эб. 0бр. макс используется для расчетов при больших входных запирающих напряжениях.
Предельные значения токов и напряжений определяют границы рабочей области транзистора. Из соображений надежности работы схемы не рекомендуется использовать величины токов и напряжений выше 70% наибольших допустимых значений. При расчете схемы необходимо выбирать величины тока, напряжения и мощности таким образом, чтобы при любом режиме работы схемы они не выходили за пределы допустимых значений. Совмещение двух предельных режимов (например, по току и мощности) запрещается.
Транзисторы отличаются большой механической прочностью, и их можно эксплуатировать в условиях сильных механических воздействий. Транзисторы сохраняют величину своих параметров в пределах нормы при длительных вибрациях в диапазоне частот от 5 до 2500 гц с ускорением до 15 g и при многократных ударах и постоянных ускорениях до 150 g, а также единичных ударах с ускорением до 500 g. Благодаря хорошей герметизации кристалла полупроводниковые приборы обладают высокой климатической устойчивостью-. Они сохраняют свои параметры в пределах нормы при длительной эксплуатации и длительном хранении в условиях относительной влажности до 95 — 98%.