Параметры транзисторов одного типа имеют большой разброс. Это связано с недостаточной чистотой исходного материала и элементов, применяемых при изготовлении транзисторов, и недостаточной воспроизводимостью технологического процесса изготовления. В справочниках часто указываются границы разброса, в которые укладываются значения параметров (В, /к0 и др.) для 80% транзисторов данного типа. Параметры транзисторов изменяются во времени. Основные причины временного дрейфа параметров — нестабильность состояния поверхности кристалла. Наиболее существенными являются длительные и кратковременные дрейфы величин обратного тока коллектора 1К0 и коэффициента передачи тока базы В.
Предельно допустимые эксплуатационные величины параметров транзистора определяются исходя из требований надежности, а также возможностями технологии изготовления прибора данного типа. Предельно допустимыми эксплуатационными величинами являются наибольшие значения следующих параметров: мощности, рассеиваемой транзистором в интервале температур (без дополнительного радиатора или с дополнительным радиатором), Рмакс» мощности в импульсе Римп. мако тока коллектора /к. макс» тока коллектора в импульсе или в режиме переключения /к. имп. макс, тока эмиттера /э. макс, тока базы /б. макс, напряжения коллектор — база С/Кб. Макс, напряжения коллектор — эммитер С/кэ. макс, обратного напряжения эмиттер — база Ј/Эб. обр. макс, температуры перехода t'nev. Макс, температуры окружающей среды t°cp, маис, теплового сопротивления между переходом и теплоотводом Rt.
Рассеиваемая транзистором мощность складывается из суммы мощностей, выделяемых при протекании токов через эмиттерный и коллекторный переходы. В активной области характеристик токи транзистора /э и /к почти одинаковы, а напряжения значительно отличаются по величине (Ј^к^> Ug), Поэтому подавляющая часть мощности потерь выделяется на коллекторном переходе и -Рмакс « Р«. макс- За наибольшую рассеиваемую мощность принимается наибольшее допустимое значение рассеиваемой мощности на коллекторе, обеспечивающее заданную надежность транзистора при длительной работе. Исключение составляет режим насыщения, когда нельзя пренебрегать мощностью, выделяющейся на эмиттерном переходе. Мощность Рк ограничивается наибольшей температурой перехода. В установившемся режиме зависимость между наибольшей допустимой рассеиваемой мощностью, наибольшей температурой перехода и температурой окружающей среды t°cp определяется соотношением