Транзисторы

Составной транзистор

С целью увеличения коэффициентов усиления по току и нап­ряжению и получения большего входного и меньшего выходного сопротивлений часто применяют схему так называемого с о -

1н

Рис. 4-27.

ставного транзистора. В этой схеме коллекторы двух транзисторов соединены вместе и являются общим электро­дом, а эмиттер первого транзистора подсоединен к базе второго (рис. 4-27, а).

Величина коэффициента передачи тока базы составного тран­зистора может достигать нескольких тысяч. Транзистор Т2 це­лесообразно выбирать более мощным, чтобы его номинальный входной ток был равен номинальному выходному току первого транзистора.

Сопротивлением базы г6 составного транзистора можно считать сопротивление базы первого транзистора

гв = гв1. (4-125)

Входное сопротивление составного транзистора в режиме ко­роткого замыкания на выходе /г11Э определим при условии, что сопротивления гкэ1 и гнэ2 достаточно велики.

Для определения сопротивления коллектора составного тран­зистора гк найдем из эквивалентной схемы выходную проводимость при условии холостого хода на входе, пренебрегая со­противлением Гэ.

Результирующий сквозной ток коллектора составного тран­зистора при /б = 0 превышает ток 7K00i каждого транзистора. Из эквивалентной схемы видно, что сквозной ток составного тран­зистора образуется тремя составляющими (сопротивлениями rK9i пренебрегаем):

Для однотипных транзисторов в равенстве (4-132) преобла­дает второе слагаемое. В схемах с более мощным вторым тран­зистором оба слагаемых могут быть сравнимыми. Температурная зависимость тока /кос подчиняется общим законам. Большие зна­чения /кос позволяют работать как при положительных, так и при отрицательных значениях тока базы составного транзистора.

Пересчет параметров составного транзистора для различных включений производится по обычным формулам.

Частотная зависимость коэффициента передачи тока состав­ного транзистора в равной степени определяется частотными свой­ствами обоих транзисторов. Если транзисторы Тг и Т2 имеют раз­ные граничные частоты, то в схеме с ОБ граничная частота коэф­фициента передачи тока эмиттера составного транзистора /а близка к граничной частоте fai более высокочастотного транзи­стора; в схемах с ОЭ и ОК граничная частота коэффициента пе­редачи тока базы составного транзистора /в не превышает гра­ничную частоту /si более низкочастотного транзистора.