http://www.tranzistors.ru ru Сайт, посвященный тразисторам и всем что с ними связано. Рассчитано Mon, 06 Feb 2012 13:58:38 MSK Mon, 06 Feb 2012 13:58:38 MSK http://www.tranzistors.ru/news/1217350289.html Также мы выложили два приложения, которые содержат соответственно программный листинг кода и изображения интерфейсов программ. http://www.tranzistors.ru/news/1217350246.html Спешим вам сообщить, что теперь на сайте доступны для ознакомления материалы по учебному пособию для студентов по специальности 2201 СПО. http://www.tranzistors.ru/tranzistory/vyvod-kollektora.html ТранзисторыВывод коллектораОтделяющие базу переходы коллекторным (рис. 4-1). Каждый из переходов транзи http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora.html Основные процессы в плоскостном бездрейфовом транзисторе. Токи транзистора. Коэффициент передачи ток http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-2.html Если толщина базы меньше диффузионной длины дырок в ней (w < LPn), то инжектированные в базу дырки бу http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-3.html Аналогично для электронной составляющей диффузионного тока через эмиттерный переход можно записатьОбщий ток через http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-4.html Коэффициенты инжекции и переноса транзистора трудно изме­рить. Они рассчитываются теоретически. На пр http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-5.html Вольт-амперные характеристики эмиттерного и коллекторного переходов (диодов) описываются формулами:где /01 и /02 http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-6.html В момент времени t = tx ток базы изменится на величину /;, и будет равен. Так как ток эмиттера поддержи­вается по http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-7.html Таким образом, в транзисторе через эмиттерный переход протекает управляющий (входной) ток /э (цепь эм http://www.tranzistors.ru/tranzistory/differencialnye-soprotivleniya-perehodov-i-emkosti-tranzistora-8.html Изменение толщины базы влияет на условия работы эмиттер-ного перехода. При постоянной величине плотности то http://www.tranzistors.ru/tranzistory/sposoby-vklyucheniya-i-staticheskie-harakteristiki-tranzistora.html Дифференциальные сопротивления переходов и емкости транзистораЭмиттерный и коллекторный переходы тр http://www.tranzistors.ru/tranzistory/sposoby-vklyucheniya-i-staticheskie-harakteristiki-tranzistora-2.html Диффузионная емкость эмиттерного пе­рехода характеризует приращение заряда избыточных носи­телей в http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty.html Способы включения и статические характеристики транзистораТранзистор можно включить в схему тремя разли http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-2.html (Uk)i = const)- В левом нижнем квадранте построена входная характеристика /б (Ј^бэ)икэ = const—зависимость то http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-3.html При увеличении температуры выходные характеристики сме­щаются в сторону больших токов 1К за счет ув http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-4.html Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ пока­заны на рис. 4-10, а. По сравнению с выходными характеристиками http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-5.html гв = гб + г5, (4-87)где гё — объемное сопротивление базы; rtf — диффузи­онное сопрот и~вл е н и е б http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-6.html С учетом формулы (4-42) получим приближенное равенствоДля построения эквивалентной схемы транзистора в схеме с http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-7.html Если /б = —/Ко> т° ток /к минимален и равен /к0- В диапазоне токов базы от /б = —/ко до /б = 0 тр http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-8.html Зависимость параметров транзистора от режима работы, температуры и частотыПараметры транзистора зависят от http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-9.html Транзисторы широко применяются для генерирования и уси­ления сигналов переменного тока. Однако с из http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-10.html где а0 — модуль коэффициента передачи тока эмиттера на низкой частоте (при ш = 0).На граничной частоте коэффиц http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-11.html Чем больше а0, тем меньше начальное значение 1в и тем значи­тельнее изменения В с ростом частоты.Частота, на которо http://www.tranzistors.ru/tranzistory/zavisimost-parametrov-tranzistora-ot-rezhima-raboty-temperatury-i-chastoty-12.html При работе транзистора на переменном токе большую роль иг­рает емкость коллектора Ск. Полное сопротивление ко http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory.html Дрейфовые транзисторы Одновременное уменьшение величин w, г\'ъ, Ск при сохране­нии высоких предельных http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-2.html Из выражения (1-18) можно найти положение дна зоны прово­димости в базе относительно уровня Фермигде Na — конц http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-3.html Для оценки коэффициента передачи тока эмиттера дрейфового транзистора необходимо решить уравнение не http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-4.html Зависимость i'Jtr> = / (ц) показывает, что при ц > 2—3 изме­нения т] мало сказываются на величине от http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-5.html Амплитудно-частотную и пере­ходную характеристики коэффициента передачи тока базы В можно рассчитывать по http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-6.html Дрейфовые транзисторы более чувствительны к изменениям температуры окружающей среды. Граничная частота с http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-7.html При охлаждении эмиттерная капля затвердевает, образуя р-область (эмиттер) с большой концентрацией ак http://www.tranzistors.ru/dreyfovye-tranzistory/dreyfovye-tranzistory-8.html Преимуществом пленарной технологии является универсаль­ность, позволяющая на одном и том же оборудовании с http://www.tranzistors.ru/tranzistor-kak-lineynyy-chetyrehpolyusnik/tranzistor-kak-lineynyy-chetyrehpolyusnik.html Транзистор как линейный четырехполюсникДля малых синусоидальных сигналов транзистор можно пред- стави http://www.tranzistors.ru/tranzistor-kak-lineynyy-chetyrehpolyusnik/tranzistor-kak-lineynyy-chetyrehpolyusnik-2.html Так как произвольный выбор независимых переменных не мо­жет влиять на основные свойства четырехполюсника, то http://www.tranzistors.ru/tranzistor-kak-lineynyy-chetyrehpolyusnik/tranzistor-kak-lineynyy-chetyrehpolyusnik-3.html Для определения параметра из точки А' проводится прямая, параллельная оси аб­сцисс, такой длины, чт http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-s-nagruzkoy/rabota-tranzistora-s-nagruzkoy.html Работа транзистора с нагрузкой Если в коллекторную цепь транзистора включить сопротив­ление нагрузки RK (рис. 4- http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-s-nagruzkoy/rabota-tranzistora-s-nagruzkoy-2.html В ряде случаев нагрузочная цепь имеет различное сопротив­ление на постоянном и переменном токах. Ес http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-s-nagruzkoy/rabota-tranzistora-s-nagruzkoy-3.html В зависимости от величины и знаков напряжений, приложен­ных к эмиттерному и коллекторному переходам, тр http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime.html Работа транзистора в импульсном режиме В импульсных устройствах обычно применяется схема включения т http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime-2.html (4-108)Определим соотношения, описывающие форму импульса тока коллектора при передаче транзистором скачков б http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime-3.html i0 = Д/б2; t = tp, Q (tp)Подставляя в равенство (4-111) Q' (0) = Q (ta) = TjATgi;где R — «шумящее» со http://www.tranzistors.ru/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime/rabota-tranzistora-v-impulsnom-rezhime-4.html торой уровень избыточных шу­мов сравним с уровнем других Рис. 4-26. составляющих шума, у транзи­сторов ти http://www.tranzistors.ru/sostavnoy-tranzistor/sostavnoy-tranzistor.html Составной транзистор С целью увеличения коэффициентов усиления по току и нап­ряжению и получения большего вх http://www.tranzistors.ru/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov.html Технические параметры и предельно допустимые эксплуатационные данные транзисторов Рабочий режим транз http://www.tranzistors.ru/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov-2.html Параметры транзисторов одного типа имеют большой разброс. Это связано с недостаточной чистотой исходного ма http://www.tranzistors.ru/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov-3.html где Ria — тепловое сопротивление переход — внешняя среда, град/вт.Под наибольшей температурой перехода http://www.tranzistors.ru/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov-4.html Наибольший ток коллектора 1К_ макс ограничи­вается максимальной температурой перехода (т. е. РШКс), и http://www.tranzistors.ru/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov-5.html Для практического использования транзисторы удобно клас­сифицировать по предельно допустимой рассеиваемой мо http://www.tranzistors.ru/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov/tehnicheskie-parametry-i-predelno-dopustimye-ekspluatacionnye-dannye-tranzistorov-6.html диэлектрика (стекло, керамика). Колпачок приваривается холод­ной сваркой к основанию. Пространство по http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory.html Полевые транзисторы Полевым транзистором (его часто называют канальным) называется транзистор с управляем http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-2.html обусловливает нелинейный характер зависимости тока стока /с от напряжения на стоке Uc.Выходн http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-3.html Сопротивление токопроводящего канала, рассеиваемая мощ­ность, рабочие токи и напряжения, усилительные и http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-4.html Для получения высоких значений максимальной крутизны и тока стока полевого транзистора в качестве ис http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-5.html от него основной объем полупроводника. С углублением от поверх­ности поле в объеме полупроводника, сп http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-6.html Принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором основан на эффекте изменения концентрации по http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-7.html Семейство стоко-затворных характеристик МОП-транзистора с встроенным каналом р-типа /с = / (Ј73)uc, оп http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-8.html Поскольку через канал ток начинает протекать лишь с неко­торого порогового напряжения на затворе U0 http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-9.html В реальных приборах тк имеет величину порядка 10~8 — 10~10 сек. Однако из-за наличия паразитных емкостей вр http://www.tranzistors.ru/polevye-tranzistory/polevye-tranzistory-10.html Характерной чертой полевых транзисторов является чрезвы­чайно низкий уровень шумов. Это обстоятельство об http://www.tranzistors.ru/chetyrehsloynye-pribory/chetyrehsloynye-pribory.html Четырехслойные приборыЧетырехслойными (или тиристорами) называются полупроводниковые приборы, имеющие р-п http://www.tranzistors.ru/chetyrehsloynye-pribory/chetyrehsloynye-pribory-2.html Переключающий диод может находиться в двух состояниях устойчивого равновесия: на участке 1 с малым то http://www.tranzistors.ru/elementy-integralnyh-shem/elementy-integralnyh-shem.html Элементы интегральных схемОсобенностью современных вычислительных машин — ма­шин «третьего поколения» — является http://www.tranzistors.ru/elementy-integralnyh-shem/elementy-integralnyh-shem-2.html 1KRинтегральных схем могут использоваться тонкопленочные эле­менты, и такие интегральные микросхемы называютс http://www.tranzistors.ru/elementy-integralnyh-shem/elementy-integralnyh-shem-3.html сохранения состава утопленного слоя в качестве первого диффузанта обычно используется мышьяк, имеющий по сравнению http://www.tranzistors.ru/elementy-integralnyh-shem/elementy-integralnyh-shem-4.html На одной кремниевой пластине одновременно изготовляется несколько десятков интегральных структур, сх http://www.tranzistors.ru/elementy-integralnyh-shem/elementy-integralnyh-shem-5.html Диоды полупроводниковых интегральных схем образуют ив транзисторных структур, используя различные сп http://www.tranzistors.ru/elementy-integralnyh-shem/elementy-integralnyh-shem-6.html При изготовлении гибридных интегральных схем в качестве активных элементов или используются навесные ми