Работа транзистора в импульсном режиме
В импульсных устройствах обычно применяется схема включения транзистора с ОЭ. В импульсном режиме, как правило, открытый транзистор работает в режиме насыщения, а закрытый — в режиме отсечки. В режиме отсечки напряжения смещения на обоих переходах — эмиттерном и коллекторном — отрицательны (Ј/Эб < 0 и UK$ <; 0), и через них протекают обратные токи (рис. 4-24, а). Обратный ток эмиттера пренебрежимо мал по сравнению с обратным током коллектора. Ток базы имеет обратный знак, а по абсолютной величине равен току /к0.
12S
В режиме отсечки цепь эмиттера можно считать разомкнутой, а транзистор представлять эквивалентным генератором тока /к0.
В режиме насыщения (рис. 4-24, б) на обоих переходах напряжения смещения положительны (Ј/Эб >0 и С/Кб > > 0) и через них протекают прямые токи. Такой режим можно получить при достаточно большом токе базы /е. н- Действительно, при увеличении тока базы увеличивается ток коллектора и
падение напряжения на сопротивлении RK. Напряжение коллектор — база равно:
Ukq = — Ек + IKRK + Uq? f&—Ек -\-B1qRv + f/бэ. При выполнении неравенства
5/6Ssf^ (4-106а)
напряжение С/„б становится положительным. Неравенство (4-106а) часто называют критерием насыщения, а относительное превышение тока базы по сравнению с током насыщения /е. н — степенью насыщения
ЛГ=/б-/г,.н_ (4-1066)