В зависимости от величины и знаков напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, транзистор может работать в трех характерных областях семейства выходных характеристик (рис. 4-23, б).
Активная область (/) характеризуется прямым смещением на эмиттерном переходе и обратным — на коллекторном переходе. В линейных усилительных схемах транзистор работает только в активной области, и для описания его свойств применяются дифференциальные (малосигнальные) параметры. (Малыми считаются сигналы, увеличение амплитуды которых на 50% изменяет величину параметров не более чем на 10%).
Если токи и напряжения между выводами транзистора изменяются в широких пределах, то транзистор характеризуют параметрами большого сигнала, одним из которых является статический коэффициент передачи 2?ст. Параметр ВСт является интегральным и определяется формулой
'к
Зависимость величины Вст от режима и температуры близка к зависимости В от тех же параметров. Численное значение параметра Вст можно определять как тангенс угла наклона характеристики прямой передачи по току /„ (/б)икэ-
Область отсечки (//) характеризуется обратным смещением на обоих переходах (транзистор находится в запертом состоянии).
Область насыщения (///) характеризуется прямым смещением на обоих переходах. Режимы отсечки и насыщения характерны для работы транзистора в импульсном режиме.