В реальных приборах тк имеет величину порядка 10~8 — 10~10 сек. Однако из-за наличия паразитных емкостей время переключения транзистора, работающего в ключевом режиме, увеличивается до 10—100 нсек. Пригодность транзистора к работе . в широком диапазоне частот удобно оценивать отношением SICK. При выводе основных соотношений не принималось во внимание влияние сопротивления истока Яи — сопротивление участка полупроводника между выводом истока и областью канала, непосредственно примыкающей к затвору. Это сопротивление является общим для входной и выходной цепей транзистора (см. рис. 4-29, г). Сопротивление Rn обусловливает внутреннюю отрицательную обратную связь и оказывает существенное влияние на параметры транзистора (увеличение Ди ведет к снижению h и S).
Эквивалентная схема полевого транзистора показана на рис.
4-33. На эквивалентной схеме выходная цепь транзистора
(токопроводящий канал) представлена генератором тока SU3,
отражающим усилительные свойства транзистора. Параллельно
генератору тока включены его внутреннее сопротивление, равное
дифференциальному сопротивлению стока гс, и паразитная
междуэлектродная емкость сток — исток Сс. и, величина которой
определяется геометрией и материалом транзистора (у
МОП-транзистора Сс. и имеет порядок десятых долей пикофарады).
Входная цепь представлена междуэлектродной емкостью затвор — исток
С3. „. Влияние выходной цепи на входную отражено проходной емкостью
затвор — сток С3_ с.. Емкости С3. и и С3. с определяют реактивную
составляющую входного импеданса полевого транзистора. Если затвор
расположен симметрично относительно истока и стока, то две
последние емкости примерно одинаковы (у МОП-транзистора они обычно
не превышают 1—3 пф). В ряде случаев для уменьшения отношения Са.
с/Сз. и затвор транзистора смещается ближе к стоку. Сопротивление
истока i?„ на эквивалентной схеме не показано, так как его влияние
автоматически учитывается при измерении со стороны внешних зажимов
параметров S и гс.
' Входное сопротивление участка затвор — исток полевых транзисторов по постоянному току определяется либо обратным со-^ противлением p-n-перехода, либо сопротивлением слоя диэлектрика между затвором и проводящим каналом. При комнатной температуре это входное сопротивление весьма велико. У германиевых полевых транзисторов с затвором в виде р-п-перехода оно достигает 106 ом, а у кремниевых — до 109 ом. У полевых транзисторов с изолированным затвором входное сопротивление по постоянному току не зависит от полярности напряжения на затворе (и его абсолютной величины) и достигает 1012—1015 ом.