Полевые транзисторы №8

Поскольку через канал ток начинает протекать лишь с неко­торого порогового напряжения на затворе U0, то можно считать:

Через любое сечение канала протекает один и тот же ток /с. Приращение напряжения на элементарном участке канала дли­ной dx определяется формулой dU(x) = IcdRK.

Подставив (4-137) в это соотношение, получим дифферен­циальное уравнение относительно U{x). Решая его при граничных условиях х = 0, {/(о) = 0 и х = L, Ј/(ц = Uc, находим анали­тическое уравнение вольт-амперной характеристики

Принимая в этом выражении U3 = const, получаем уравнение выходной вольт-амперной характеристики, а принимая Uc — = const — уравнение стоко-затворной характеристики.

Уравнение (4-138) справедливо для МОП-транзисторов обеих разновидностей при напряжениях на стоке, меньших напряжения насыщения UH. Напряжения насыщения определяются из условия


МОП-транзистор управляется напряжением и практически не потребляет входной ток. Коэффициенты усилия по току и по мощности МОП-транзистора чрезвычайно велики.

Усилительные свойства МОП-транзистора характеризуются крутизной стоко-затворной характеристики:

Найдем аналитическое выражение крутизны для пентодной области выходных характеристик. Дифференцируя (4-138) по U3, получаем:

Как видно из (4-142) и рис. 4-32, в, с изменением напряжения U3 величина крутизны меняется от 0 до SMaKC, причем SMRKC огра­ничена выбранным напряжением Uc. Обычно крутизна состав­ляет в среднем 0,5—1 ма/в, достигая 2—5 ма/в у лучших образцов.

Дифференциальное сопротивление сто-к а можно определить из (4-138).

С приближением напряжения Uc к UH = U3—U0 дифферен­циальное сопротивление стока неограниченно возрастает. Прак­тически же величина гс в пентодной области характеристик имеет конечное значение и лежит в пределах 50—500 ком. Изменение напряжения U3, приводящее к росту крутизны S, уменьшает сопротивление стока гс. При этом произведение Src остается прак­тически неизменным.

Высокочастотные свойства МОП-транзистора принято оцени­вать постоянной времени канала

тк = Скг к,

где Ск — эквивалент распределенной емкости слоя материала, расположенного между активной частью канала, находящейся под затвором, и электродом затвора; гк — сопротивление того же слоя (гк достигает 1 ком).

Постоянной времени канала можно характеризовать зависи­мость крутизны от частоты


Полевые транзисторы №9

В реальных приборах тк имеет величину порядка 10~8 — 10~10 сек. Однако из-за наличия паразитных емкостей вр ...

Полевые транзисторы №10

Характерной чертой полевых транзисторов является чрезвы­чайно низкий уровень шумов. Это обстоятельство об ...

Спонсор поста: