Семейство стоко-затворных характеристик МОП-транзистора с встроенным каналом р-типа /с = / (Ј73)uc, определяющих зависимость тока стока от напряжения на затворе при фиксированных напряжениях на стоке, показано на рис. 4-31, в.
В МОП-транзисторе с индуцированным каналом (рис. 4-32, а) при нулевой разности потенциалов исток — затвор отсутствует поверхностный слой, тип электропроводности которого совпадает с типом электропроводности областей истока и стока. При этом МОП-транзистор представляет собой два диода, включенные навстречу друг другу, а ток стока чрезвычайно мал. Если увеличивать положительное смещение затвора, то при некоторой величине смещения U0 на поверхности полупроводника возникает инверсный слой с электропроводностью типа п. Исток и сток окажутся соединенными тонким токопроводящим слоем и между ними потечет ток. Напряжение на затворе U0, при котором появляется ток стока, называют пороговым напряжением.
Семейство выходных вольт-амперных характеристик МОП-транзистора с индуцированным га-каналом Ic = f (С/С)и. приведено на рис. 4-32, б. МОП-транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения и только при одной полярности напряжения на затворе, знак которой определится типом электропроводности канала (напряжения на стоке и на затворе относительно истока имеют одинаковые знаки).
На рис. 4-32, в представлено семейство стоко-затворных характеристик МОП-транзистора с индуцированным га-каналом. Эти характеристики имеют резко нелинейный характер.
Аналитические выражения семейства вольт-амперных характеристик и основные параметры МОП-транзистора можно получить следующим образом. Обозначив длину, ширину и толщину токопроводящего канала L, z и у, считая исходный полупроводник легированным однородно, принимая толщину изолирующего слоя w много больше толщины индуцированного канала (основное падение напряжения происходит в изолирующем слое), можно полагать, что у транзистора с заземленным истоком в произвольной точке каналахпотенциал равен U(x), где0 ^ U(х)
Плотность заряда, индуцированного на поверхности полупроводника, представляет произведение единичного заряда на приращение концентрации подвижных носителей (основных), которые обусловливают протекание тока: