Полевые транзисторы №3

Сопротивление токопроводящего канала, рассеиваемая мощ­ность, рабочие токи и напряжения, усилительные и частотные свойства полевого транзистора во многом зависят от его конструк­тивного выполнения и технологии изготовления.

У полевого тразистора плоской конфигурации затвор можно поместить и на одной грани полупроводника. При перекрытии токопроводящего. канала пространственный заряд перехода бу­дет выходить на поверхности кристалла и состояние поверхности будет оказывать влияние на параметры полевого транзистора (ухудшдется отсечка, увеличиваются шумы и др.). Эти явления можно значительно снизить, пассивируя поверхность кристалла защитной пленкой. Рассмотренная в начале параграфа конструк­ция полевого транзистора лишена указанных недостатков, но

ИЗ поверхность кристалла у нее также желательно пассивировать. Кроме того, эта конструкция имеет фактически два отдельных затвора и позволяет осуществлять различные схемные включе­ния (изменять напряжение отсечки, крутизну и характер зави­симости крутизны от напряжения на затворе).

Полевые транзисторы плоской конфигурации имеют срав­нительно большую площадь p-n-перехода затвора и поэтому об­ладают большой емкостью затвора и плохими частотными свой­ствами. Для устранения этого недостатка р-ге-переход затвора размещается в узкой канавке поперек токопроводящего канала. Разработан полевой транзистор цилиндрической формы (его иногда называют текнетроном), у которого затвором служит кольцевой р-ге-переход, расположенный в углублении на поверх­ности цилиндра. Транзистор такой конструкции обладает малой междуэлектродной емкостью и высокими рабочими частотами. Однако крутизна и рассеиваемая мощность его невелики. В по­левом транзисторе кольцевой формы, названном алькат-роном, имеются центральный сток и наружный кольцевой исток. Между ними выполнена узкая кольцевая канавка, на дне которой создан р-д-переход. На противоположном дне цилиндра создан второй р-я-переход в виде диска. Эти переходы играют роль двух затворов (первый — управляющего, а второй осуществляет пред­варительное сужение канала). Такая конструкция позволяет получать большие мощности без снижения рабочих частот и боль­шую крутизну, но представляет значительные сложности при из­готовлении.


Полевые транзисторы №4

Для получения высоких значений максимальной крутизны и тока стока полевого транзистора в качестве ис ...

Полевые транзисторы №5

от него основной объем полупроводника. С углублением от поверх­ности поле в объеме полупроводника, сп ...

Полевые транзисторы №6

Принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором основан на эффекте изменения концентрации по ...

Полевые транзисторы №7

Семейство стоко-затворных характеристик МОП-транзистора с встроенным каналом р-типа /с = / (Ј73)uc, оп ...

Полевые транзисторы №8

Поскольку через канал ток начинает протекать лишь с неко­торого порогового напряжения на затворе U0 ...

Спонсор поста: Курс Интернет-маркетинга: повышение квалификации профессионального бухгалтера. ... пеленка miracle blanket ... сантехника для ванной