Полевые транзисторы №2







обусловливает нелинейный характер зависимости тока стока /с от напряжения на стоке Uc.

Выходные воль т-а мперные характери­стики полевого транзистора определяют зависимость тока стока от напряжения на стороне при фиксированном напряжении затвора Ic = / (Uc)u3- Семейство выходных характеристик приве­дено на рис. 4-29, д. Начальные участки характеристик (малые Uс) близки к линейным. С повышением U0 зависимость /с—Uc приобретает резко нелинейный характер (с ростом Uc возрастает и сопротивление канала). Начиная с некоторого напряжения на стоке (С/с. „) переходы почти смыкаются. Дальнейшее повышение Uc не приводит к увеличению 1С. Наступает так называемое н а-с ы щ е н и е тока стока. Напряжение, при котором наступает насыщение, называют напряжением насыщения (Uc. в). При U3 = 0 напряжение насыщения равно напряжению отсечки

Uв. н = U3. о (смыкание переходов является следствием увеличе­ния тока стока; возникает отсечка не самого тока, а его прира­щений), а ток стока достигает своего наибольшего значения /Макс-Если между затвором и истоком включено постоянное напряже­ние U3, смещающее переходы в обратном направлении, то режим насыщения наступает при меньших значениях напряжения и тока стока.

Область насыщения выходных характеристик (ее часто называют пентодной) является основной рабочей областью. Ток /с в области насыщения не остается строго постоянным, а не­сколько возрастает с увеличением Uc. Это связано с уменьшением фактической длины канала, различного рода утечками, влиянием сильных электрических полей и температуры. Область допусти­мых напряжений на стоке ограничена напряжением лавинного пробоя в цепи сток — затвор.

Более подробно диффе­ренциальные параметры, а также эквивалентную схему и другие характерные черты полевого транзистора рассмотрим в разделе о полевых транзисторах с изолированным затвором.

Инерционность (высокочастотные свойства) по­левого транзистора отчасти связана с конечным временем пролета носителей вдоль канала, но в основном обусловлена зарядом барьерной емкости р-ге-перехода через сопротивление канала. Участкам канала, расположенным на разных расстояниях от ис­тока, присущи разные по величине емкости и сопротивления. Обычно опенку высокочастотных свойств проводят по средней емкости сопротивления канала. При работе на высоких частотах будут оказывать влияние также паразитные емкости затвор — исток, сток — исток и затвор — сток.


Полевые транзисторы №3

Сопротивление токопроводящего канала, рассеиваемая мощ­ность, рабочие токи и напряжения, усилительные и ...

Полевые транзисторы №4

Для получения высоких значений максимальной крутизны и тока стока полевого транзистора в качестве ис ...

Полевые транзисторы №5

от него основной объем полупроводника. С углублением от поверх­ности поле в объеме полупроводника, сп ...

Полевые транзисторы №6

Принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором основан на эффекте изменения концентрации по ...

Полевые транзисторы №7

Семейство стоко-затворных характеристик МОП-транзистора с встроенным каналом р-типа /с = / (Ј73)uc, оп ...

Спонсор поста: авенсис ... Печи для бани Сахара ... Мультизональная система info