Характерной чертой полевых транзисторов является чрезвычайно низкий уровень шумов. Это обстоятельство объясняется тем, что у полевых транзисторов отсутствует составляющая шумов, связанная с генерационно-рекомбинационными процессами, а основной компонентой шумов являются тепловые шумы в токо-проводящем канале.
Заканчивая рассмотрение общих свойств полевых транзисторов, необходимо отметить, что у них, как и у других типов полупроводниковых приборов, параметры могут изменяться с изменением температуры. Температурное изменение параметров полевого транзистора обычно характеризуют коэффициентом, который показывает, насколько надо изменить напряжение затвора Ua, чтобы сохранить неизменным ток стока /0 при возрастании температуры на 1°С.
Из соображений получения желательных характеристик (например, температурных) в качестве исходного материала для изготовления МОП-транзистора можно использовать элементы IV группы периодической системы, интерметаллические соединения III—V групп, а также соединения II—VI групп (CdS, ZnO, ZnS и др.). В настоящее время основными материалами являются кремний, сульфид кремния и арсенид галлия. Если в качестве исходного полупроводника взят кремний, то диэлектриком удобно использовать двуокись кремния Si02 (или моноокись кремния SiO) (эта структура транзистора — металл — окисел — полупроводник — послужила основой для названия МОП-транзистор). Затвор МОП-транзистора обычно изготавливают из алюминия или золота.
Параметры транзисторов с изолированным затвором в сильной степени определяются геометрическими размерами. Уменьшение толщины диэлектрика w приводит к снижению Z70 и увеличению Ic, S и емкости затвора. Толщину диэлектрика выбирают порядка 0,1 — 0,15 мкм, толщину металлической пленки затвора—0,2— 0,5 мкм, длину канала 5—10 мкм, а ширину канала 100—1 000 мкм.
При изготовлении МОП-транзисторов используют методы диффузий примесей с применением фотолитографии, эпитаксиального наращивания, а также напыления тонких пленок. Весьма перспективным является применение МОП-транзисторов в микроэлектронике.
В заключение необходимо подчеркнуть, что схемные возможности МОП-транзисторов весьма широки.