При изготовлении гибридных интегральных схем в качестве активных элементов или используются навесные микроминиатюрные элементы (бескорпусные транзисторы и диоды), или формируются активные элементы в полупроводниковых областях. Для получения пассивных элементов используются физические свойства полупроводниковых, диэлектрических и металлических тонких пленок. Соединение элементов схемы осуществляется проводниками, привариваемыми термокомпрессионной сваркой, или металлическими тонкими пленками, нанесенными на диэлектрическую подложку. Из-за большего числа, соединений гибридные схемы менее надежны, чем полупроводниковые.
Полупроводниковые интегральные схемы целесообразно применять в крупносерийном производстве. В таких интегральных схемах весьма перспективным является использование МОП-транзисторов. Полупроводниковые интегральные схемы на МОП-транзисторах являются более технологичными, дешевыми и компактными по сравнению с аналогичными схемами на биполярных транзисторах. В мелкосерийном производстве более экономичными являются гибридные схемы, которые требуют для своего изготовления менее сложной оснастки. В настоящее время наблюдается тенденция к еще большей интеграции и проводятся интенсивные работы над большими интегральными схемами (БИС).
[1]Входная характеристика описывается соотношением U3.n =q>T 1п(/э//01), которое можно получить из (4-18а); при j — UK. д| фт, а 1 и I0i — = а/oj/aj.