На одной кремниевой пластине одновременно изготовляется несколько десятков интегральных структур, схема крепится в корпусе либо круглой, либо плоской формы. Выводы корпуса соединяются с контактами интегральной структуры проволочками с помощью термокомпрессионной сварки.
Полупроводниковая интегральная схема имеет общую подложку из кремния р-типа. База и коллектор сформированного транзистора и подложка интегральной схемы образуют паразитную транзисторную структуру р-га-р-типа (рис. 4-36, б). Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора — базой паразитного, а подложка — коллектором паразитного.
Пока основной транзистор работает в активной области семейства выходных характеристик (или в области отсечки), его коллекторный переход смещен в обратном направлении, а паразитный транзистор выключен. Для этого случая паразитный транзистор можно рассматривать как смещенный в обратном направлении паразитный диод, подсоединенный между коллектором и подложкой и вносящий паразитную емкость и ток утечки (рис. 4-36, в). При расчетах основной транзистор можно заменить эквивалентной схемой рис. 4-11, б или 4-12, б, добавив в нее паразитную емкость, включенную между коллектором и общим электродом. Для уменьшения величины паразитной емкости, которая убывает с ростом обратного напряжения, и обеспечения обратного смещения изолирующего р-га-перехода на подложку р-тица должно подаваться наибольшее отрицательное напряжение. Паразитная емкость между коллектором и подложкой и объемное сопротивление коллектора ухудшают частотные свойства основного транзистора.
Как только основной транзистор входит в насыщение, его коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении. Вступает в работу паразитный транзистор, который будет отбирать часть тока возбуждения основного транзистора и ограничивать степень его насыщения. Если материал интегральной схемы не легирован золотом, то коэффициент передачи тока базы паразитного транзистора Впар достигает величины 1—5. При легировании золотом Впар снижается до 0,01 и влияние паразитного транзистора по существу устраняется. Образование паразитных транзисторных структур возможно и в других интегральных элементах и должно учитываться при разработке интегральных схем.