сохранения состава утопленного слоя в качестве первого диффузанта обычно используется мышьяк, имеющий по сравнению с другими примесями очень малый коэффициент диффузии. После образования слоя га+-типа со всей поверхности подложки удаляется слой двуокиси кремния и производится эпитаксиальное наращивание кремния га-типа, который будет выполнять роль коллекторной области для всех транзисторов.
Далее подложка вновь окисляется и методом фотолитографии образуются окна, через которые локальной диффузией выполняются изолирующие каналы р+-типа. При этой диффузии акцепторные примеси должны проникнуть через весь эпитаксиальный слой до поверхности исходной подложки. В результате между каждой областью га-типа с одной стороны и исходной подложкой и изолирующими каналами с другой образуются р-п-переходы. При смещении в обратном направлении эти переходы будут выполнять роль диэлектрической изоляции. Площадь изолирующего перехода достаточно велика, следовательно, могут достигать большой величины его паразитная емкость и ток утечки.
На следующем этапе методом фотолитографии вытравливаются окна под диффузию, предназначенную для формирования базовых областей транзистора р-типа (и резисторов, если они есть). Для получения нужного сопротивления области при выполнении этой диффузии важен точный контроль поверхностной концентрации и глубины проникновения примесей.
Далее фотолитографией получают окна под эмиттерные области, коллекторные контакты (и нижние обкладки металл-окисел-полупроводниковых конденсаторов, если, они имеются) и проводят локальные диффузии для получения этих областей «+-типа (если изготавливаются конденсаторы, то используется дополнительное маскирование над их нижними обкладками к наращивание нового слоя Si02 заданной толщины, служащего диэлектриком между обкладками конденсаторов). По окончании всех процессов диффузии на поверхности пластины остается слой Si02, который служит защитной (пассивирующей) пленкой и предохраняет схему от воздействий внешней среды.
Следующими операциями являются фотолитографическое вытравливание окон под контакты электродов транзистора и вакуумное напыление алюминиевой пленки на всю поверхность пластины. В местах окон алюминий образует омические контакты с кремнием (и вторую обкладку металл-окисел-полупроводниковых конденсаторов, если они имеются). С участков, где алюминий не нужен, его удаляют методом фотолитографии. Для снижения времени жизни неосновных носителей исходная пластинка при изготовлении интегральной схемы может легироваться золотом.